Различают транзисторы биполярные и полевые. Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы, n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный. В биполярном транзисторе основными носителями являются и электроны, и дырки. Схематическое устройство транзистора показано на рисунке 6.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, элек-троды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмитте-ром. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. Главное отличие коллектора — большая площадь p-n перехода. Для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.
Рис. 6
Рис. 7
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Полевые транзисторы имеют большое входное сопротивление. Подразделяются на полевые транзисторы 1) с управляющим p-n переходом (рис. 7а) и 2) с изолированным затвором (рис. 7б).
Полевые транзисторы с изолированным затвором в свою очередь подразделяются на транзисторы 1) со встроенным каналом и 2) с индуцированным каналом.
Транзисторы, как правило, имеют три вывода. Вывод, от которого в канал приходят основные носители заряда, называется истоком. Вывод, к которому носители заряда приходят из канала, называется стоком. Вывод, на который подается управляющее напряжение относительно истока или стока, называется затвором. Полевыми транзисторы называют потому, что управление током в выходной цепи транзистора осуществляется электрическим полем во входной цепи. Канальными транзисторы называют потому, что ток в выходной цепи транзистора протекает через его канал. Униполярными транзисторы называют потому, что в работе транзистора принимают носители одной полярности. В условных обозначениях полевых транзисторов на принципиальных схемах стрелка направлена к каналу n-типа, или от канала p-типа. Индуцированный (наведенный электрическим полем) канал, обозначается пунктиром (рис. 7в).
Рис. 8 Цветовая маркировка транзисторов
Рис. 9. Условное графическое обозначение биполярного транзистора струк-туры n-p-n
Рис. 10.Условное графическое обозначение биполярного транзистора структуры p-n-p
Рис. 11. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
Рис.12. Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
Рис.13. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным p-каналом обедненного типа.
Рис. 14. Условное графическое обозначение полевого транзистора со встро-енным n-каналом обогащенного типа.
Рис. 15. Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным p-каналом обогащенного типа.
Рис. 16 — Условное графическое обозначение полевого транзистора с индуцированным n-каналом обогащенного типа.
Рис. 17. Обозначение транзистора с барьером Шотки (транзистор Шотки).
Рис. 18. Обозначение многоэмиттерного транзистора.
Транзистор с барьером Шотки и многоэмиттерный транзистор встречаются лишь в микроэлектронике.
Рис. 19. Условное графическое обозначение фототранзистора